盘式干燥机

  将硫化钾粉末与市售的多晶HAP粉末以1.6的重量比混合。
  将混合物置于干净的氧化铝坩埚中，并在炉中从室温加热至1190℃，加热速率为5℃/min（~4h）。
  将温度保持在1190°C3.5小时，将产品自然冷却至炉内的室温。
  用90℃水洗涤固化的物质三次，在空气中干燥单晶HAP晶须24小时。
  将10mg晶体置于微管中，用1mL甘氨酸-HCl缓冲液（0.2M，pH2.2）蚀刻靶HAP单晶的表面5分钟以除去杂质（在室温下轻轻摇动）。
  通过加入150μLpH9TBS，高压灭菌中和混合物，离心混合物并移出蚀刻剂溶液。
  用TBS（50mMTris-HCl，pH7.5,150mMNaCl，高压灭菌）洗涤晶体五次。
  将晶体（~10mg/mL）储存在pH7.5TBST（含有0.1％，v/v，Tween20的TBS）中。